
T111/PDB выпускается в корпусе 3,5×2,4×3,05 мм, а его фотоэлектрические характеристики полностью идентичны модели 111/PDB: установлен крупногабаритный фотодиодный чип размером 51–60 mil, при облучённости Ee=1 мВт/см² фототок IL составляет 8–14 мкА, темновой ток ID ≤80 нА, VR=5 В, λP=940 нм, рабочий диапазон приёма — 730–1100 нм, оптический угол по оси X — 85–110°, по оси Y — 65–90°, также используется конструкция «ступень + полусферическая линза».
T111/PDB выпускается в корпусе 3,5×2,4×3,05 мм, а его фотоэлектрические характеристики полностью идентичны модели 111/PDB: установлен крупногабаритный фотодиодный чип размером 51–60 mil, при облучённости Ee=1 мВт/см² фототок IL составляет 8–14 мкА, темновой ток ID ≤80 нА, VR=5 В, λP=940 нм, рабочий диапазон приёма — 730–1100 нм, оптический угол по оси X — 85–110°, по оси Y — 65–90°, также используется конструкция «ступень + полусферическая линза».
Ключевое отличие T111 заключается в уменьшенной общей высоте корпуса — 3,05 мм. Это делает его более подходящим для решений с неглубокими пазами монтажной рамки, ограниченной общей толщиной устройства или необходимостью плотного прилегания к светонаправляющим структурам, что позволяет заказчику гибко выбирать типоразмер в зависимости от внешнего вида и конструктивных зазоров.
Крупный чип данной серии значительно улучшает способность улавливать слабые оптические сигналы, а в сочетании с широким углом приёма позволяет эффективно сократить мёртвые зоны сенсорной панели и уменьшить количество используемых излучателей. Материалы корпуса обладают превосходной стойкостью к пожелтению и термостойкостью, выдерживая циклы высоких и низких температур и длительную работу под напряжением. T111/PDB является широко применяемым стандартизированным инфракрасным приёмным диодом в крупных и средних сенсорных устройствах, таких как премиальные образовательные панели и интегрированные конференц-системы.